（首尔26日讯）韩国媒体Business Korea周五报导，韩国半导体公司日益担心美国本月稍早通过的晶片和科学法案，因为依据规定，一旦申请取得补贴，未来10年不得在中国在内的指定地区扩大产能和投资，仅老式（legacy）制程不受此限，但该词定义不明，三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）无法完全免于风险。
台湾《联合报》报导，如果美国的禁令仅限于非记忆体晶片，韩国半导体公司的风险将趋近于零，因为三星电子和SK海力士都没在中国生产非记忆体晶片。三星的NAND Flash厂座落在西安，封测设施在苏州。SK海力士的DRAM和NAND Flash工厂分别在无锡和大连。
如果禁令同时包含记忆体和非记忆体晶片，SK海力士会受影响，它的无锡厂量产10奈米晶片DRAM。三星电子的风险相对较低，因为NAND Flash记忆体晶片以堆叠的层数来计算，不是奈米。
不管哪种情况，这两家韩国半导体公司都无法完全免于风险，因为接受补助后的10年间，投资计画和活动都必须知会美国商务部，而这些多半是业务机密。
