（森尼韦尔15日讯）据韩国媒体报道，一众美国半导体设备大厂应用材料最近在加州森尼韦尔（Sunnyvale）为EPIC中心揭幕，这是由三星电子、SK海力士与台积电等半导体大厂参与的研发合作中心，旨在力抗中国记忆体大厂长鑫存储的崛起。
据报导，EPIC中心（EPIC Center）总投资额达50亿美元（约204亿1000万令吉），是全球最大的半导体制程技术及制造设备联合研发设施。
EPIC中心创始合作伙伴包括三星电子、SK海力士、台积电、英特尔及美光；创新合作伙伴则包含博通、爱德万测试、Screen、铠侠、Besi及史丹佛大学、加州大学柏克莱分校等主要大学。
重大技术转折
SK海力士首席执行员郭鲁正表示，将透过与应用材料（Applied Materials）合作，因应高频宽记忆体（HBM）、动态随机存取内存（DRAM）及快闪记忆体（NAND）等领域的重大技术转折。
报导指出，这个全球性联盟与中国力图取得主导地位有关，而中国的目标不仅是实现半导体自主。
“受美国对先进技术实施出口管制影响，中国与西方国家的技术交流几乎中断，而中国正由政府主导突破相关限制，迅速提升竞争力。”
例如，美国阻止荷兰艾司摩尔（ASML）向中国出口极紫外光（EUV）微影设备后，中国自行开发深紫外光（DUV）微影设备，以提升先进制程竞争力。
因此，被视为中国DRAM龙头的长鑫存储（CXMT）快速成长，最近宣布已开始量产其新一代行动DRAM产品LPDDR6。
长鑫存储追赶
此外，长鑫存储也宣布，将率先采用新一代DRAM架构4F2，在今年内推出伺服器记忆体——DDR5RDIMM。就连三星电子与SK海力士，目前都尚未宣布采用这种架构的量产计划。
根据Counterpoint Research等市场研究机构，今年次季，三星电子在全球DRAM市场市占率达39%，排名第一；在NAND市占率则为29.3%。长鑫存储市占率达10%，是去年同期4%的两倍以上，正加紧追赶。
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