国际商业机器公司(IBM)曾是重要晶片制造商,如今已把量产晶片的工作委托给三星电子,但IBM在纽约州奥尔巴尼仍保有一座晶片制造研发中心(图)来进行晶片试产。(图取自IBM研究/路透社)

受到全球新冠肺炎疫情影响,半导体产量大降,令到许多公司的电子产品生产程序大受影响。在疫情之下,许多人不能进行户外活动和社交聚会,被迫留在家中,令电视机、手机、电子游戏机的需求量急增,因而令晶片短缺的情况加剧。

美国国际商业机器公司(IBM)总裁怀特赫斯特日前接受英国广播公司(BBC)访问时表示,全球电脑晶片短缺的情况可能会持续多2年”,情况才会改善。

怀特赫斯特称:“由研发一种新科技,到建造工厂及有晶片面世,两者之间在时间上有很大差距。因此,坦白说,我们要等待数年,才可以分阶段增加生产能力,纾缓各方面的晶片短缺现象。”

IBM现时以发放牌照的方式,把晶片及微控制器的科技卖给全球各地的大型晶片制造商包括英特尔(Intel)、台积电和三星集团等。

怀特赫斯特又表示,该集团要想想其他方法,去满足市场需要,例如重用及延长某些电脑技术的寿命、加快投资兴建厂房等。

连显示驱动器也缺货

目前,不只高阶的核心晶片全球缺产能,就算是显示驱动器这种基础零组件都供不应求,进而影响到所有需要显示面板的消费产品制造。

台湾显示驱动器(display driver)供应商奇景光电(Himax)称,看似平凡的,一块价格仅有1美元的零件显示驱动器,也出现了供不应求的情况,并导致了液晶萤幕面板短缺以及涨价。

美国网络设备制作商思科(Cisco)稍早公布第三季度财报时表示,席卷制造业的供应链紧张将会对该公司当前季度和第4季度的利润率构成冲击。

IBM月初公布的2纳米制程晶片,据报较现有最先进的7纳米晶片提高45%效率,或在同样效能上节省75%电力,令智能手机4日才充电一次。图为采用7纳米的POWER 10处理器。(图取自IBM网页)
IBM月初公布的2纳米制程晶片,据报较现有最先进的7纳米晶片提高45%效率,或在同样效能上节省75%电力,令智能手机4日才充电一次。图为采用7纳米的POWER 10处理器。(图取自IBM网页)

思科自行消化成本上涨

半导体短缺导致很多制造商都难以获得充足的关键零部件供应,推动产品价格上涨,并推升了整个供应链的成本。

思科表示将选择自行消化成本上涨,而没有上调产品价格,也警告供应链短缺或将贯穿全年,至本年度末。

而思科首席执行员罗宾斯表示,思科有信心度过供应链吃紧的挑战,目前也与部分主要供应链厂商达成协议。他此前告诉英国广播公司(BBC),认为晶片短缺问题,需再等待6个月才能解决。

IBM发表2纳米技术 挑战台积电?

在全球的晶片出现供不应求问题之际,IBM于5月初发表号称全球首创的2纳米晶片制造技术,可让晶片速度比当今主流的7纳米晶片提升45%,或在同样效能上节省75%电力,令智能手机4日才充电一次。有专家指这可能增加台积电的竞争压力,不过台积电晶圆代工霸主的地位应不会动摇。

路透社报导,目前许多笔记型电脑和手机使用的都是7纳米晶片,而2纳米晶片制造技术可能还要花上数年才能投入市场。

2纳米晶片的体积会比当前最尖端的5纳米晶片更小且速度更快。目前5纳米晶片只用在苹果公司(Apple)iPhone 12等高端手机。

尽管2纳米晶片制造技术可能还要花上数年才能投入市场,不过,相较台积电2纳米在去年经过初步研究及路径寻找后,目前进入制程技术研发阶段,IBM抢先发表2纳米晶片制造技术备受各界关注。

全球最大电子代工厂、苹果主要供应商富士康预计,全球电脑晶片短缺,可能会导致PS5和Xbox Series X缺货的状况持续到2022年第二季度。这是富士康的电脑主板。(图取自路透社)
全球最大电子代工厂、苹果主要供应商富士康预计,全球电脑晶片短缺,可能会导致PS5和Xbox Series X缺货的状况持续到2022年第二季度。这是富士康的电脑主板。(图取自路透社)

不过,IBM目前已无自行制程晶圆能力,外界料其晶片生产将交由三星代工,能否迅速投入商用,挑战台积电现有制程技术仍有难度。

台湾工业技术研究院产科国际所研究总监杨瑞临认为,IBM的这项公布可能使得台积电竞争压力增加,不过,台积电具有多元客户,将有助缩短学习曲线、快速提升良率及降低成本,且其坚持不与客户竞争是长期来赢得客户信任的关键,晶圆代工霸主地位应不会动摇。

台积电成功研发“矽”替代品

当IBM公布在2纳米制程晶片取得突破,台积电近日与台大、麻省理工在国际期刊《自然》(Nature)发表研究成果,成功研发新兴物料取代“矽(silicon)”,令晶片半导体技术可向1纳米以下制程作出路。

台积电目前已量产5纳米制程晶片,并部署4纳米、3纳米制程晶片在明年量产,要将1纳米内制程研究成果转成工业投产,或非一两年间能实现。

晶片制程不断缩短下,目前台积电先进制程使用的FinFET技术,以至三星的GAAFET技术、IBM 2纳米晶片最新使用的“Nanosheet(纳米纸)”技术都是以“矽”为基础物料。

台积电台大麻省理工团队,拟使用“二维材料(2D atomic channels)”代替“矽”,麻省理工在材料中加入另一半金属元素“铋(Bi,Bismuth)”,可降低早期二维材料的高电阻问题,提高电流。台积电改良“易沉积制程”,台大团队将元件通道成功缩小至纳米尺寸,令制程技术有突破。

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